数字后端T12工艺注意事项

1. Double Pattern

名词解释:在先进工艺中,如T12中,foundry会将同一层金属线分为不同color层来进行多次光刻的工艺。

转载链接:Double Pattern Technology & RC Corner-CSDN博客

在后端物理实现中需要注意的点:


1.对于先进工艺的double pattern层,一定要走在track上面;如果不走,在制造时大概率会拆不开,造成uncolorble。

2.在T12工艺中,Double Pattern层为M2,M3;假设M3电源条线过宽,会造成decompose,在做double pattern时无法分解,原因是M3两侧的signal net(信号线)太接近M3,导致间距不够double pattern;解决方法是在M3 stripe线两侧加上routing blockage,使得signal net无法放置,从而变相的增加了M3电源线与信号线的间距。

3.I/O port 不能用double pattern的layer(M2/M3)去出pin,如:28nm工艺I/O区域的线性布局要求可能禁止双图案化层,因其会导致寄生电容增加和ESD保护失效;而分色(colorable)会使相邻导体间电容增加,违反I/O引脚低电容要求,高速I/O引脚需控制电容在10pF以下,而双图案化层分色会增加相邻导体间电容;同时DP层使用会破坏I/O引脚的连续金属结构,增加制造缺陷风险,例如开路/短路;分色还可能削弱ESD保护效果,因为大尺寸连续金属的连接性被破坏,导致短路或开路。

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